EMMI、OBIRCH和Therma的区别
EMMI、OBIRCH和Thermal是三种不同的芯片失效分析技术，它们在原理、应用范围和检测能力上有所区别。
EMMI（微光显微镜）:
通过探测电路发出的微弱光子来定位电路的失效点，适用于检测芯片内部的金属短路、接触异常、漏电等。EMMI对低压芯片灵敏度高，可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷、静电放电破坏、闩锁效应等。
OBIRCH（光束诱导电阻变化）:
利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，通过监测电源电流或电压的变化来定位缺陷位置。OBIRCH针对金属化系统层面的缺陷，如金属线路里的桥接、空洞等，对背面分析效果更好。
Thermal（热成像）:
利用InSb材质的探测器，接收故障点通电后产生的热辐射分布，借此定位故障点（热点、亮点HotSpot）位置，并能预估芯片故障点的深度位置，Thermal适用于短路样品封装级的热点定位，特别适用于短路≤10Ω的故障样品。
综上所述，EMMI主要检测发光的异常，如漏电、击穿；OBIRCH检测无光但致命的金属短路、高阻问题；而Thermal则适用于封装级的热点定位，特别是低阻短路故障。在选择故障点定位方法时，需要根据故障现象进行预判，选择最适合的检测方法.