12月9日，众力为团队前往清华大学集成电路学院，就我司自研专用于高校教学演示的功率器件动态参数系统进行交机、培训。首先我司CTO陈佳深入浅出现场教学演示，同学们跃跃欲试，最后同学们有组织的进行了实践操作，深刻地理解了功率器件动态参数测试方法，机理，以及评判标准，现场气氛高涨，深得老师同学们好评。
♦此次交付的功率器件动态参数系统具有以下特点：
1. 可测Si、SiC MOSFET/IGBT/Diode功率器件DPT(双脉冲)、QG（栅极电荷）、TRR（反向恢复）、ISC（短路电流）等动态参数；
2. 物理级+软件级多重安全防护，如：测试安全罩电互锁；误触发us级放电；DUT安装防呆、极性自动判别，过压过流保护，<1us 短路保护等；
3. 触屏控制；手动、半自动、全自动三种测试模式，激发学生从原理到实践各环节参与感；测试过程图文并茂，参数设置有说明，测试标准有旁注，测试波形有注解，测试数据有分析；
4. 系统采用Main Frames+ Test Unit +开放外扩单元架构，易更新升级硬件，让客户有全方位的DIY体验。
12月11日，众力为团队继续前往北方工业大学信息工程学院，就我司自研的GaN HEMT动态参数测试系统进行交机、培训。同时荣幸邀请到我国卫星制造领域的多位技术专家现场观摩交流，首先公司总经理罗景涛结合该系统研发心得，分享了题为《GaN 功率器件动态参数测试技术研究》的技术knowhow，再次CTO陈佳就GaN HEMT动态参数测试系统进行现场操作演示，测试结果得到各位老师一致好评，同时各位老师从驱动消震，应用级测试匹配等方面给出了专业的指导建议，让众力为人坚定了信念，明确了未来之路。
♦此次交付的GaN HEMT动态参数测试系统具有以下特点：
1. 可测SiC MOSFET、GaN HEMT、Ga2O3功率器件SPT(单脉冲@R)、DPT(双脉冲@L)、MPT(多脉冲@L/R&L)、QG（栅极电荷）、ISC（短路电流）、DHTOL(动态高温老化寿命)等参数或试验；
2. O/S预测试技术（Open/Short预测试，逻辑判断以保护系统）
3. 延时校准技术（探头+示波器通道+PCB板时延补偿）
4. 测试标准自定义技术（已有标准+自定义标准）
5. 电压钳位技术（钳位电路/Clipper）
6. 短路保护技术（软硬双阶保护）
7. 多封装兼容技术（Mother Board+封装各异Daughter Board）
8. 具备DHTOL测试技术（JEP180标准）
众力为作为校企合作践行者，已与多所高校开展了项目合作，设备共研，大学生实习，联合培养等互动合作，成果颇丰。未来众力为人坚定信念，行而不辍，蓄力倾注于校企产学研合作，极大促进半导体行业科技成果产业化发展。